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微型化已經成為印刷線路板和電子封裝材料發展的主要方向之一，其中聚合物基電子封裝材料在電子器件封裝應用中具有廣闊前景。為了滿足線路板和器件日益增大的導熱(散熱)需求，需考慮讓電介質材料具有較大的熱導率，目前在聚酰亞胺薄膜中填充氮化鋁(A1N)或碳化硅(SiC)以提高材料的導熱性能，逐漸成為研究熱點。
采用KH550偶聯劑對氮化鋁粒子表面進行物化處理，提高有機一無機兩相界面的結合力，然后使用原位聚合將納米氮化鋁加入到聚酰亞胺中，納米氮化鋁含量為13％時，納米復合薄膜的導熱系數由純PI膜的0．16 w／(m·K)提高至0．26W／(m·K)。
公開了一種高導熱聚酰亞胺薄膜的制備方法，使用表面經偶聯劑處理后的氮化鋁或碳化硅改性傳統的聚酰胺酸樹脂，再流延至不銹鋼帶上，經高溫干燥后獲得高導熱低熱膨脹系數的PI膜，其導熱系數達到0．61 w／(m·K)以上，而熱膨脹系數在30 ppm／K以下。
傳統的聚酰亞胺薄膜導熱系數僅為0．16 w／(m·K)左右，應用于微電子的高密度和高速化運行時容易出現電路過熱，影響元器件和集成電路的穩定性，高導熱PI膜是順應市場需求而產生的產品，其制備工藝和原理與耐電暈PI膜類似，都是將具有特殊功能的納米填料摻雜人到聚酰胺酸樹脂中，再高溫亞胺化成膜，使得薄膜具有相應的功能。同樣，高導熱PI膜所需要解決的問題也是如何將納米填料均勻分散在樹脂體系中。
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